игра брюс 2048
Главная / Аппаратное обеспечение / Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков / Тест 10

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков - тест 10

Упражнение 1:
Номер 1
Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек math, длина каждого бита на дорожке math и расстояние между дорожками math. math = 200 нм, math = 200 нм, math = 500 нм.

Ответ:

 (1) 7,14*108 бит/см2 

 (2) 7,18*108 бит/см2 

 (3) 7,25*108 бит/см2 


Номер 2
Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек math, длина каждого бита на дорожке math и расстояние между дорожками math. math = 141 нм, math = 150 нм, math = 350 нм.

Ответ:

 (1) 1,36*109 бит/см2 

 (2) 1,38*109 бит/см2 

 (3) 1,40*109 бит/см2 


Номер 3
Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек math, длина каждого бита на дорожке math и расстояние между дорожками math. math = 90 нм, math = 100 нм, math = 254 нм.

Ответ:

 (1) 2,31*109 бит/см2 

 (2) 2,91*109 бит/см2 

 (3) 2,8*109 бит/см2 


Номер 4
Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек math, длина каждого бита на дорожке math и расстояние между дорожками math. math = 64 нм, math = 75 нм, math = 175 нм.

Ответ:

 (1) 5,58*109 бит/см2 

 (2) 5,5*109 бит/см2 

 (3) 5,57*109 бит/см2 


Номер 5
Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек math, длина каждого бита на дорожке math и расстояние между дорожками math. math = 45 нм, math = 54 нм, math = 127 нм.

Ответ:

 (1) 1,8*1010 бит/см2 

 (2) 1,08*1010 бит/см2 

 (3) 1,12*1010 бит/см2 


Упражнение 2:
Номер 1
Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм2", в единицах "бит/см2" или наоборот. 4,6*109 бит/дюйм2.

Ответ:

 (1) 7,13*108 бит/см2 

 (2) 7,16*108 бит/см2 

 (3) 7,20*108 бит/см2 


Номер 2
Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм2", в единицах "бит/см2" или наоборот. 1,36*109 бит/см2.

Ответ:

 (1) 8,7*109 бит/дюйм2 

 (2) 8,9*109 бит/дюйм2 

 (3) 8,77*109 бит/дюйм2 


Номер 3
Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм2", в единицах "бит/см2" или наоборот. 1,36*1010 бит/дюйм2.

Ответ:

 (1) 2,1*109 бит/см2 

 (2) 2,4*109 бит/см2 

 (3) 2,5*109 бит/см2 


Номер 4
Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм2", в единицах "бит/см2" или наоборот. 5,58*109 бит/см2.

Ответ:

 (1) 3,6*1010 бит/дюйм2 

 (2) 3,67*1010 бит/дюйм2 

 (3) 3,69*1010 бит/дюйм2 


Номер 5
Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм2", в единицах "бит/см2" или наоборот. 4,6*1010 бит/дюйм2.

Ответ:

 (1) 7,12*109 бит/см2 

 (2) 7,13*109 бит/см2 

 (3) 7,34*109 бит/см2 


Упражнение 3:
Номер 1
Рассчитайте период расположения магнитных дорожек (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке math = 390 нм и плотность записи информации на магнитный диск math = 2,3*109 бит/дюйм2.

Ответ:

 719 


Номер 2
Рассчитайте расстояние между магнитными дорожками (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке math = 450 нм, ширина магнитных дорожек math = 780 нм и плотность записи информации на магнитный диск math = 1,2*109 бит/дюйм2.

Ответ:

 415 


Номер 3
Рассчитайте длину каждого бита на дорожке  (в нм), если известны период расположения магнитных дорожек 645 нм и плотность записи информации на магнитный диск math = 2,6*109 бит/дюйм2.

Ответ:

 385 


Номер 4
Рассчитайте ширину магнитных дорожек (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке math = 254 нм, расстояние между магнитными дорожками  = 180 нм и плотность записи информации на магнитный диск math = 4,6*109 бит/дюйм2.

Ответ:

 372 


Упражнение 4:
Номер 1
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение math удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 7.  Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 2,29 


Номер 2
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение math удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14.  Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 4,02 


Номер 3
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение math удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 21. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 5,76 


Номер 4
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение math удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 28. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 7,51 


Номер 5
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение math удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 35. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 9,26 


Упражнение 5:
Номер 1
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение math удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 7, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов math, а соотношение math = 8. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 2,94 


Номер 2
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение math удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов math = 18, а соотношение math = 12. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 4,94 


Номер 3
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение math удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов math = 20, а соотношение math = 15. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 5,42 


Номер 4
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение math удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов math = 22, а соотношение math = 18. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 5,91 


Номер 5
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение math удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов math = 24, а соотношение math = 25. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 6,27 




Главная / Аппаратное обеспечение / Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков / Тест 10