игра брюс 2048
Главная / Аппаратное обеспечение / Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков / Тест 13

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков - тест 13

Упражнение 1:
Номер 1
Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:math

Ответ:

 (1) 800 Мбит/см2 

 (2) 830 Мбит/см2 

 (3) 1660 Мбит/см2 

 (4) 2600 Мбит/см2 

 (5) 7400 Мбит/см2 


Номер 2
Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:math

Ответ:

 (1) 800 Мбит/см2 

 (2) 830 Мбит/см2 

 (3) 1660 Мбит/см2 

 (4) 2600 Мбит/см2 

 (5) 7400 Мбит/см2 


Номер 3
Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:math

Ответ:

 (1) 800 Мбит/см2 

 (2) 830 Мбит/см2 

 (3) 1660 Мбит/см2 

 (4) 2600 Мбит/см2 

 (5) 7400 Мбит/см2 


Номер 4
Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:math

Ответ:

 (1) 800 Мбит/см2 

 (2) 830 Мбит/см2 

 (3) 1660 Мбит/см2 

 (4) 2600 Мбит/см2 

 (5) 7400 Мбит/см2 


Номер 5
Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:math

Ответ:

 (1) 800 Мбит/см2 

 (2) 830 Мбит/см2 

 (3) 1660 Мбит/см2 

 (4) 2600 Мбит/см2 

 (5) 7400 Мбит/см2 


Упражнение 2:
Номер 1
Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет math, а длина каждого домена math?

Ответ:

 (1) 1 нс 

 (2) 750 пс 

 (3) 500 пс 

 (4) 360 пс 

 (5) 160 пс 


Номер 2
Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет math, а длина каждого домена math?

Ответ:

 (1) 1 нс 

 (2) 750 пс 

 (3) 500 пс 

 (4) 360 пс 

 (5) 160 пс 


Номер 3
Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет math, а длина каждого домена math?

Ответ:

 (1) 1 нс 

 (2) 750 пс 

 (3) 500 пс 

 (4) 360 пс 

 (5) 160 пс 


Номер 4
Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет math, а длина каждого домена math?

Ответ:

 (1) 1 нс 

 (2) 750 пс 

 (3) 500 пс 

 (4) 360 пс 

 (5) 160 пс 


Номер 5
Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет math, а длина каждого домена math?

Ответ:

 (1) 1 нс 

 (2) 750 пс 

 (3) 500 пс 

 (4) 360 пс 

 (5) 160 пс 


Упражнение 3:
Номер 1
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет math, длина доменов math, а период их расположения в строках math и в столбиках math.

Ответ:

 (1) 50 Гбит/см2 

 (2) 110 Гбит/см2 

 (3) 208 Гбит/см2 

 (4) 444 Гбит/см2 

 (5) 2000 Гбит/см2 


Номер 2
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет math, длина доменов math, а период их расположения в строках math и в столбиках math.

Ответ:

 (1) 50 Гбит/см2 

 (2) 110 Гбит/см2 

 (3) 208 Гбит/см2 

 (4) 444 Гбит/см2 

 (5) 2000 Гбит/см2 


Номер 3
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет math, длина доменов math, а период их расположения в строках math и в столбиках math.

Ответ:

 (1) 50 Гбит/см2 

 (2) 110 Гбит/см2 

 (3) 208 Гбит/см2 

 (4) 444 Гбит/см2 

 (5) 2000 Гбит/см2 


Номер 4
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет math, длина доменов math, а период их расположения в строках math и в столбиках math.

Ответ:

 (1) 50 Гбит/см2 

 (2) 110 Гбит/см2 

 (3) 208 Гбит/см2 

 (4) 444 Гбит/см2 

 (5) 2000 Гбит/см2 


Номер 5
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет math, длина доменов math, а период их расположения в строках math и в столбиках math.

Ответ:

 (1) 50 Гбит/см2 

 (2) 110 Гбит/см2 

 (3) 208 Гбит/см2 

 (4) 444 Гбит/см2 

 (5) 2000 Гбит/см2 


Упражнение 4:
Номер 1
Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8.files

Ответ:

 (1) math 

 (2) math 

 (3) math 


Номер 2
Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8.files

Ответ:

 (1) math 

 (2) math 

 (3) math 


Номер 3
Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8.files

Ответ:

 (1) math 

 (2) math 

 (3) math 


Номер 4
Какая схема из двух спиновых вентилей СВ8, выполняет логическую функцию math?

Ответ:

 (1) files 

 (2) files 


Номер 5
Какая схема из двух спиновых вентилей СВ8, выполняет логическую функцию math?

Ответ:

 (1) files 

 (2) files 


Упражнение 5:
Номер 1
Какую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход math этой сети при заданных значениях входных переменных math? Темным тоном выделены ферромагнитные наноэлементы с фиксированным направлением намагниченности.files

Ответ:

 (1) math 

 (2) math 

 (3) math 

 (4) math 


Номер 2
акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход math этой сети при заданных значениях входных переменных math? Темным тоном выделены ферромагнитные наноэлементы с фиксированным направлением намагниченности.files

Ответ:

 (1) math 

 (2) math 

 (3) math 

 (4) math 


Номер 3
акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход math этой сети при заданных значениях входных переменных math? Темным тоном выделены ферромагнитные наноэлементы с фиксированным направлением намагниченности.files

Ответ:

 (1) math 

 (2) math 

 (3) math 

 (4) math 


Номер 4
акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход math этой сети при заданных значениях входных переменных math? Темным тоном выделены ферромагнитные наноэлементы с фиксированным направлением намагниченности.files

Ответ:

 (1) math 

 (2) math 

 (3) math 

 (4) math 


Номер 5
акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход math этой сети при заданных значениях входных переменных math? Темным тоном выделены ферромагнитные наноэлементы с фиксированным направлением намагниченности.files

Ответ:

 (1) math 

 (2) math 

 (3) math 

 (4) math 


Упражнение 6:
Номер 1
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры math(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент math на каждый атом этого элемента (math– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.math.

Ответ:

 (1) 2,79*10-15 Дж/Тл 

 (2) 1,82*10-15 Дж/Тл 

 (3) 9,38*10-16 Дж/Тл 

 (4) 5,21*10-16 Дж/Тл 

 (5) 2,48*10-16 Дж/Тл 


Номер 2
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры math(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент math на каждый атом этого элемента (math– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.math.

Ответ:

 (1) 2,79*10-15 Дж/Тл 

 (2) 1,82*10-15 Дж/Тл 

 (3) 9,38*10-16 Дж/Тл 

 (4) 5,21*10-16 Дж/Тл 

 (5) 2,48*10-16 Дж/Тл 


Номер 3
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры math(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент math на каждый атом этого элемента (math– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.math.

Ответ:

 (1) 2,79*10-15 Дж/Тл 

 (2) 1,82*10-15 Дж/Тл 

 (3) 9,38*10-16 Дж/Тл 

 (4) 5,21*10-16 Дж/Тл 

 (5) 2,48*10-16 Дж/Тл 


Номер 4
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры math(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент math на каждый атом этого элемента (math– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.math.

Ответ:

 (1) 2,79*10-15 Дж/Тл 

 (2) 1,82*10-15 Дж/Тл 

 (3) 9,38*10-16 Дж/Тл 

 (4) 5,21*10-16 Дж/Тл 

 (5) 2,48*10-16 Дж/Тл 


Номер 5
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры math(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент math на каждый атом этого элемента (math– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.math.

Ответ:

 (1) 2,79*10-15 Дж/Тл 

 (2) 1,82*10-15 Дж/Тл 

 (3) 9,38*10-16 Дж/Тл 

 (4) 5,21*10-16 Дж/Тл 

 (5) 2,48*10-16 Дж/Тл 


Упражнение 7:
Номер 1
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры math(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент math на каждый атом этого элемента (math– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.math,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время math, а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна math.

Ответ:

 (1) 66,9 мА 

 (2) 65,4 мА 

 (3) 40,5 мА 

 (4) 44,9 мА 

 (5) 35,7 мА 


Номер 2
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры math(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент math на каждый атом этого элемента (math– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.math,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время math, а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна math.

Ответ:

 (1) 66,9 мА 

 (2) 65,4 мА 

 (3) 40,5 мА 

 (4) 44,9 мА 

 (5) 35,7 мА 


Номер 3
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры math(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент math на каждый атом этого элемента (math– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.math,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время math, а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна math.

Ответ:

 (1) 66,9 мА 

 (2) 65,4 мА 

 (3) 40,5 мА 

 (4) 44,9 мА 

 (5) 35,7 мА 


Номер 4
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры math(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент math на каждый атом этого элемента (math– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.math,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время math, а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна math.

Ответ:

 (1) 66,9 мА 

 (2) 65,4 мА 

 (3) 40,5 мА 

 (4) 44,9 мА 

 (5) 35,7 мА 


Номер 5
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры math(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент math на каждый атом этого элемента (math– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.math,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время math, а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна math.

Ответ:

 (1) 66,9 мА 

 (2) 65,4 мА 

 (3) 40,5 мА 

 (4) 44,9 мА 

 (5) 35,7 мА 


Упражнение 8:
Номер 1
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах math, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение math, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что math, math, math? Указано значение уставки math.

Ответ:

 (1) "0" 

 (2) "1" 


Номер 2
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах math, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение math, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что math, math, math? Указано значение уставки math.

Ответ:

 (1) "0" 

 (2) "1" 


Номер 3
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах math, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение math, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что math, math, math? Указано значение уставки math.

Ответ:

 (1) "0" 

 (2) "1" 


Номер 4
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах math, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение math, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что math, math, math? Указано значение уставки math.

Ответ:

 (1) "0" 

 (2) "1" 


Номер 5
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах math, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение math, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что math, math, math? Указано значение уставки math.

Ответ:

 (1) "0" 

 (2) "1" 




Главная / Аппаратное обеспечение / Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков / Тест 13