Главная / Аппаратное обеспечение /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков / Тест 13
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков - тест 13
Упражнение 1:
Номер 1
Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:
Ответ:
 (1) 800 Мбит/см2 
 (2) 830 Мбит/см2 
 (3) 1660 Мбит/см2 
 (4) 2600 Мбит/см2 
 (5) 7400 Мбит/см2 
Номер 2
Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:
Ответ:
 (1) 800 Мбит/см2 
 (2) 830 Мбит/см2 
 (3) 1660 Мбит/см2 
 (4) 2600 Мбит/см2 
 (5) 7400 Мбит/см2 
Номер 3
Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:
Ответ:
 (1) 800 Мбит/см2 
 (2) 830 Мбит/см2 
 (3) 1660 Мбит/см2 
 (4) 2600 Мбит/см2 
 (5) 7400 Мбит/см2 
Номер 4
Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:
Ответ:
 (1) 800 Мбит/см2 
 (2) 830 Мбит/см2 
 (3) 1660 Мбит/см2 
 (4) 2600 Мбит/см2 
 (5) 7400 Мбит/см2 
Номер 5
Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:
Ответ:
 (1) 800 Мбит/см2 
 (2) 830 Мбит/см2 
 (3) 1660 Мбит/см2 
 (4) 2600 Мбит/см2 
 (5) 7400 Мбит/см2 
Упражнение 2:
Номер 1
Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет , а длина каждого домена ?
Ответ:
 (1) 1 нс 
 (2) 750 пс 
 (3) 500 пс 
 (4) 360 пс 
 (5) 160 пс 
Номер 2
Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет , а длина каждого домена ?
Ответ:
 (1) 1 нс 
 (2) 750 пс 
 (3) 500 пс 
 (4) 360 пс 
 (5) 160 пс 
Номер 3
Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет , а длина каждого домена ?
Ответ:
 (1) 1 нс 
 (2) 750 пс 
 (3) 500 пс 
 (4) 360 пс 
 (5) 160 пс 
Номер 4
Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет , а длина каждого домена ?
Ответ:
 (1) 1 нс 
 (2) 750 пс 
 (3) 500 пс 
 (4) 360 пс 
 (5) 160 пс 
Номер 5
Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет , а длина каждого домена ?
Ответ:
 (1) 1 нс 
 (2) 750 пс 
 (3) 500 пс 
 (4) 360 пс 
 (5) 160 пс 
Упражнение 3:
Номер 1
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет , длина доменов , а период их расположения в строках и в столбиках .
Ответ:
 (1) 50 Гбит/см2 
 (2) 110 Гбит/см2 
 (3) 208 Гбит/см2 
 (4) 444 Гбит/см2 
 (5) 2000 Гбит/см2 
Номер 2
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет , длина доменов , а период их расположения в строках и в столбиках .
Ответ:
 (1) 50 Гбит/см2 
 (2) 110 Гбит/см2 
 (3) 208 Гбит/см2 
 (4) 444 Гбит/см2 
 (5) 2000 Гбит/см2 
Номер 3
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет , длина доменов , а период их расположения в строках и в столбиках .
Ответ:
 (1) 50 Гбит/см2 
 (2) 110 Гбит/см2 
 (3) 208 Гбит/см2 
 (4) 444 Гбит/см2 
 (5) 2000 Гбит/см2 
Номер 4
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет , длина доменов , а период их расположения в строках и в столбиках .
Ответ:
 (1) 50 Гбит/см2 
 (2) 110 Гбит/см2 
 (3) 208 Гбит/см2 
 (4) 444 Гбит/см2 
 (5) 2000 Гбит/см2 
Номер 5
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет , длина доменов , а период их расположения в строках и в столбиках .
Ответ:
 (1) 50 Гбит/см2 
 (2) 110 Гбит/см2 
 (3) 208 Гбит/см2 
 (4) 444 Гбит/см2 
 (5) 2000 Гбит/см2 
Упражнение 4:
Номер 1
Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8.
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)  
Номер 2
Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8.
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)  
Номер 3
Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8.
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)  
Номер 4
Какая схема из двух спиновых вентилей СВ8, выполняет логическую функцию ?
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
Номер 5
Какая схема из двух спиновых вентилей СВ8, выполняет логическую функцию ?
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
Упражнение 5:
Номер 1
Какую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход этой сети при заданных значениях входных переменных ? Темным тоном выделены ферромагнитные наноэлементы с фиксированным направлением намагниченности.
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)  
 
(4)  
Номер 2
акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход этой сети при заданных значениях входных переменных ? Темным тоном выделены ферромагнитные наноэлементы с фиксированным направлением намагниченности.
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)  
 
(4)  
Номер 3
акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход этой сети при заданных значениях входных переменных ? Темным тоном выделены ферромагнитные наноэлементы с фиксированным направлением намагниченности.
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)  
 
(4)  
Номер 4
акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход этой сети при заданных значениях входных переменных ? Темным тоном выделены ферромагнитные наноэлементы с фиксированным направлением намагниченности.
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)  
 
(4)  
Номер 5
акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход этой сети при заданных значениях входных переменных ? Темным тоном выделены ферромагнитные наноэлементы с фиксированным направлением намагниченности.
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)  
 
(4)  
Упражнение 6:
Номер 1
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м..
Ответ:
 (1) 2,79*10-15 Дж/Тл 
 (2) 1,82*10-15 Дж/Тл 
 (3) 9,38*10-16 Дж/Тл 
 (4) 5,21*10-16 Дж/Тл 
 (5) 2,48*10-16 Дж/Тл 
Номер 2
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м..
Ответ:
 (1) 2,79*10-15 Дж/Тл 
 (2) 1,82*10-15 Дж/Тл 
 (3) 9,38*10-16 Дж/Тл 
 (4) 5,21*10-16 Дж/Тл 
 (5) 2,48*10-16 Дж/Тл 
Номер 3
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м..
Ответ:
 (1) 2,79*10-15 Дж/Тл 
 (2) 1,82*10-15 Дж/Тл 
 (3) 9,38*10-16 Дж/Тл 
 (4) 5,21*10-16 Дж/Тл 
 (5) 2,48*10-16 Дж/Тл 
Номер 4
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м..
Ответ:
 (1) 2,79*10-15 Дж/Тл 
 (2) 1,82*10-15 Дж/Тл 
 (3) 9,38*10-16 Дж/Тл 
 (4) 5,21*10-16 Дж/Тл 
 (5) 2,48*10-16 Дж/Тл 
Номер 5
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м..
Ответ:
 (1) 2,79*10-15 Дж/Тл 
 (2) 1,82*10-15 Дж/Тл 
 (3) 9,38*10-16 Дж/Тл 
 (4) 5,21*10-16 Дж/Тл 
 (5) 2,48*10-16 Дж/Тл 
Упражнение 7:
Номер 1
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна .
Ответ:
 (1) 66,9 мА 
 (2) 65,4 мА 
 (3) 40,5 мА 
 (4) 44,9 мА 
 (5) 35,7 мА 
Номер 2
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна .
Ответ:
 (1) 66,9 мА 
 (2) 65,4 мА 
 (3) 40,5 мА 
 (4) 44,9 мА 
 (5) 35,7 мА 
Номер 3
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна .
Ответ:
 (1) 66,9 мА 
 (2) 65,4 мА 
 (3) 40,5 мА 
 (4) 44,9 мА 
 (5) 35,7 мА 
Номер 4
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна .
Ответ:
 (1) 66,9 мА 
 (2) 65,4 мА 
 (3) 40,5 мА 
 (4) 44,9 мА 
 (5) 35,7 мА 
Номер 5
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна .
Ответ:
 (1) 66,9 мА 
 (2) 65,4 мА 
 (3) 40,5 мА 
 (4) 44,9 мА 
 (5) 35,7 мА