Главная / Аппаратное обеспечение /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков / Тест 2
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков - тест 2
Упражнение 1:
Номер 1
Рассчитайте массу (в мг) золота в пленке толщиной 85 нм и площадью 4х6 см2. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Ответ:
 3,9 
Номер 2
Рассчитайте массу (в мкг) хрома в пленке толщиной 5 нм и площадью 4х6 см2.
Ответ:
 86 
Номер 3
Рассчитайте массу (в мкг) галлия в пленке толщиной 100 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2.
Ответ:
 53 
Номер 4
Рассчитайте массу (в мкг) мышьяка в пленке толщиной 100 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2.
Ответ:
 56 
Номер 5
Рассчитайте массу алюминия в пленке толщиной 60 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2 при молярном соотношении галлия и алюминия 2:1.
Ответ:
 (1) около 4 мкг 
 (2) около 3 мкг 
 (3) около 6 мкг 
 (4) около 5 мкг 
 (5) около 7 мкг 
Упражнение 2:
Номер 1
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилгаллия, требуемую для химического осаждения пленки GaAs толщиной 40 нм и площадью 4х6 см2 с использованием реакции
Ответ:
 405 
Номер 2
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилалюминия, требуемую для химического осаждения пленки толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции
Ответ:
 105 
Номер 3
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества гидрида мышьяка , требуемую для химического осаждения пленки толщиной 120 нм и площадью 4х6 см2 с использованием реакции
Ответ:
 824 
Номер 4
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества гидрида мышьяка , требуемую для химического осаждения пленки толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции
Ответ:
 114 
Номер 5
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилиндия, требуемую для химического осаждения пленки толщиной 50 нм и площадью 3х4 см2 с использованием реакции
Ответ:
 287 
Упражнение 3:
Номер 1
Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на ( = 248)
Ответ:
 124 
Номер 2
Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на ( = 197)
Ответ:
 99 
Номер 3
Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на ( = 157)
Ответ:
 79 
Номер 4
Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на ( = 248) и иммерсионной жидкости с показателем преломления 1,4
Ответ:
 89 
Номер 5
Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: экстремального ультрафиолетового света с длиной волны 44
Ответ:
 22 
Упражнение 4:
Номер 1
Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 5,531*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние
Ответ:
 34 
Номер 2
Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 5,972*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние
Ответ:
 16 
Номер 3
Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 6,604*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние
Ответ:
 14 
Номер 4
Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 7,458*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние
Ответ:
 25 
Номер 5
Оцените, с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если: лазерный диод излучает свет на частоте 7,973*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние
Ответ:
 6 
Упражнение 5:
Номер 1
Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 12 мкс, а на пластине размещается 100 СБИС? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Ответ:
 53,3 
Номер 2
Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 6,4 мкс, а на пластине размещается 144 СБИС?
Ответ:
 41 
Номер 3
Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 3,2 мкс, а на пластине размещается 180 СБИС? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Ответ:
 25,6 
Номер 4
Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 2,4 мкс, а на пластине размещается 240 СБИС?
Ответ:
 25,6 
Номер 5
Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 1,2 мкс, а на пластине вмещается 400 СБИС? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Ответ:
 21,3 
Номер 5
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол , если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,38, а угол = 40? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Ответ:
 32,6