игра брюс 2048
Главная / Аппаратное обеспечение / Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков / Тест 2

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков - тест 2

Упражнение 1:
Номер 1
Рассчитайте массу (в мг) золота в пленке толщиной 85 нм и площадью 4х6 см2. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 3,9 


Номер 2
Рассчитайте массу (в мкг) хрома в пленке толщиной 5 нм и площадью 4х6 см2.

Ответ:

 86 


Номер 3
Рассчитайте массу (в мкг) галлия в пленке math толщиной 100 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2.

Ответ:

 53 


Номер 4
Рассчитайте массу (в мкг) мышьяка в пленке math толщиной 100 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2.

Ответ:

 56 


Номер 5
Рассчитайте массу алюминия в пленке math толщиной 60 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2 при молярном соотношении галлия и алюминия 2:1.

Ответ:

 (1) около 4 мкг 

 (2) около 3 мкг 

 (3) около 6 мкг 

 (4) около 5 мкг 

 (5) около 7 мкг 


Упражнение 2:
Номер 1
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилгаллия, требуемую для химического осаждения пленки GaAs толщиной 40 нм и площадью 4х6 см2 с использованием реакции

(CH_3)_3Ga+AsH_3\rightarrow GaAs\downarrow+3CH_4\uparrow.

Ответ:

 405 


Номер 2
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилалюминия, требуемую для химического осаждения пленки math толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции

(CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.

Ответ:

 105 


Номер 3
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества гидрида мышьяка math, требуемую для химического осаждения пленки math толщиной 120 нм и площадью 4х6 см2 с использованием реакции

(CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.

Ответ:

 824 


Номер 4
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества гидрида мышьяка math, требуемую для химического осаждения пленки math толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции

(CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.

Ответ:

 114 


Номер 5
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилиндия, требуемую для химического осаждения пленки math толщиной 50 нм и площадью 3х4 см2 с использованием реакции

(CH_3)_3In+AsH_3\rightarrow InAs\downarrow+3CH_4\uparrow.

Ответ:

 287 


Упражнение 3:
Номер 1
Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на math (math = 248)

Ответ:

 124 


Номер 2
Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на math (math = 197)

Ответ:

 99 


Номер 3
Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на math (math = 157)

Ответ:

 79 


Номер 4
Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на math (math = 248) и иммерсионной жидкости с показателем преломления 1,4

Ответ:

 89 


Номер 5
Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: экстремального ультрафиолетового света с длиной волны 44

Ответ:

 22 


Упражнение 4:
Номер 1
Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 5,531*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние math

Ответ:

 34 


Номер 2
Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 5,972*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние math

Ответ:

 16 


Номер 3
Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 6,604*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние math

Ответ:

 14 


Номер 4
Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 7,458*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние math

Ответ:

 25 


Номер 5
Оцените, с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если: лазерный диод излучает свет на частоте 7,973*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние math

Ответ:

 6 


Упражнение 5:
Номер 1
Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 12 мкс, а на пластине размещается 100 СБИС? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 53,3 


Номер 2
Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 6,4 мкс, а на пластине размещается 144 СБИС?

Ответ:

 41 


Номер 3
Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 3,2 мкс, а на пластине размещается 180 СБИС? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 25,6 


Номер 4
Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 2,4 мкс, а на пластине размещается 240 СБИС?

Ответ:

 25,6 


Номер 5
Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 1,2 мкс, а на пластине вмещается 400 СБИС? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 21,3 


Упражнение 6:
Номер 1
Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/math, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/math. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 125 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 math до 100 math. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 2,1 


Номер 2
Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/math, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/math. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 150 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 math до 120 math. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 3,15 


Номер 3
Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/math, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/math. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 175 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 math до 140 math. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 6,4 


Номер 4
Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/math, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/math. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 200 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 math до 100 math. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой. . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 3,36 


Номер 5
Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/math, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/math. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 175 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 math до 100 math. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

 2,94 


Упражнение 7:
Номер 1
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол math, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,5, а угол math = 1math. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 28,6 


Номер 2
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол math, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,56, а угол math = 1,5math. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 21,4 


Номер 3
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол math, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,64, а угол math = 2math. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 18,3 


Номер 4
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол math, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,54, а угол math = 2,5math. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 12,4 


Номер 5
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол math, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,38, а угол math = 40? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 32,6 


Упражнение 8:
Номер 1
С помощью зондового наноструктурирования задумали сформировать наноразмерное изображение эмблемы и названия фирмы. Для этого острием нанозонда СТМ надо переместить math атомов и молекул. Сколько часов работы СТМ требуется для этого, если на перемещение одного атома (молекулы) и на контроль правильности перемещения в среднем затрачивается math секунд? math = 10000; math = 5 c. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 13,9 


Номер 2
С помощью зондового наноструктурирования задумали сформировать наноразмерное изображение эмблемы и названия фирмы. Для этого острием нанозонда СТМ надо переместить math атомов и молекул. Сколько часов работы СТМ требуется для этого, если на перемещение одного атома (молекулы) и на контроль правильности перемещения в среднем затрачивается math секунд? math = 8400; math = 2,5 c. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 5,8 


Номер 3
С помощью зондового наноструктурирования задумали сформировать наноразмерное изображение эмблемы и названия фирмы. Для этого острием нанозонда СТМ надо переместить math атомов и молекул. Сколько часов работы СТМ требуется для этого, если на перемещение одного атома (молекулы) и на контроль правильности перемещения в среднем затрачивается math секунд? math = 16000; math = 3,25 c. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 14,4 


Номер 4
С помощью зондового наноструктурирования задумали сформировать наноразмерное изображение эмблемы и названия фирмы. Для этого острием нанозонда СТМ надо переместить math атомов и молекул. Сколько часов работы СТМ требуется для этого, если на перемещение одного атома (молекулы) и на контроль правильности перемещения в среднем затрачивается math секунд? math = 36000; math = 1,75 c. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 17,5 


Номер 5
С помощью зондового наноструктурирования задумали сформировать наноразмерное изображение эмблемы и названия фирмы. Для этого острием нанозонда СТМ надо переместить math атомов и молекул. Сколько часов работы СТМ требуется для этого, если на перемещение одного атома (молекулы) и на контроль правильности перемещения в среднем затрачивается math секунд? math = 125000; math = 0,85 c. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Ответ:

 29,5 




Главная / Аппаратное обеспечение / Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков / Тест 2