Главная / Аппаратное обеспечение /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков / Тест 6
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков - тест 6
Упражнение 1:
Номер 1
Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 16 кбит? (ответ укажите в тысячах).
Ответ:
 98 
Номер 2
Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 64 кбита? (ответ укажите в тысячах).
Ответ:
 393 
Номер 3
Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 256 кбит? (ответ укажите в тысячах).
Ответ:
 1573 
Номер 4
Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 1 Мбит? (ответ укажите в тысячах).
Ответ:
 6291 
Номер 5
Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 4 Мбита? (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Ответ:
 25,2 
Упражнение 2:
Номер 1
Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 64 кбита? (ответ укажите в тысячах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Ответ:
 65,5 
Номер 2
Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 256 кбит? (ответ укажите в тысячах).
Ответ:
 262 
Номер 3
Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 1 Мбит? (ответ укажите в тысячах).
Ответ:
 1049 
Номер 4
Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 4 Мбита? (ответ укажите в тысячах).
Ответ:
 4194 
Номер 5
Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 16 Мбит? (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Ответ:
 16,8 
Упражнение 3:
Номер 1
Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно . Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 32 Мбита? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Ответ:
 0,34 
Номер 2
Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно . Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 64 Мбита? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Ответ:
 0,67 
Номер 3
Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно . Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 128 Мбит? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Ответ:
 1,34 
Номер 4
Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно . Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 256 Мбит? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Ответ:
 2,68 
Номер 5
Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно . Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 512 Мбит? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Ответ:
 5,37 
Упражнение 4:
Номер 1
Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 64 Мбита? Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
Ответ:
 0,188 
Номер 2
Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 128 Мбит? Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
Ответ:
 0,376 
Номер 3
Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 256 Мбит? Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
Ответ:
 0,752 
Номер 4
Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 512 Мбит? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Ответ:
 1,5 
Номер 5
Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 1 Гбит?
Ответ:
 3 
Упражнение 5:
Номер 1
Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Ответ:
 1,25 
Номер 2
Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Ответ:
 4,98 
Номер 3
Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Ответ:
 19,9 
Номер 4
Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Ответ:
 39,8 
Номер 5
Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Ответ:
 79,7 
Упражнение 6:
Номер 1
Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 64 Мбит при = 8? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Ответ:
 1,72 
Номер 2
Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 128 Мбит при = 7? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Ответ:
 3,01 
Номер 3
Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 256 Мбит при = 6? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Ответ:
 5,15 
Номер 4
Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 512 Мбит при = 5? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Ответ:
 8,59 
Номер 5
Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 1 Гбит при = 4? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Ответ:
 13,7 
Упражнение 7:
Номер 1
Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (тыс. кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 32 Мбита при = 8? (ответ укажите в тысячах).
Ответ:
 179 
Номер 2
Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (тыс. кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 64 Мбита при = 7? (ответ укажите в тысячах).
Ответ:
 102 
Номер 3
Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 128 Мбит при = 6?
Ответ:
 59600 
Номер 4
Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 256 Мбит при = 5?
Ответ:
 35760 
Номер 5
Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 512 Мбит при = 4?
Ответ:
 22350