Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

Упражнение 1:

Номер 1

Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы  при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.

Ответ:

(1) меньше 24 нм math

(2) меньше 26 нм math

(3) меньше 27 нм math

Номер 2

Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы  при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.

Ответ:

(1) меньше 18 нм math

(2) меньше 19 нм math

(3) меньше 20 нм math

Номер 3

Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы  при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.

Ответ:

(1) меньше 19 нм math

(2) меньше 25 нм math

(3) меньше 29 нм math

Номер 4

Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы  при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.

Ответ:

(1) меньше 35 нм math

(2) меньше 37 нм math

(3) меньше 39 нм math

Номер 5

Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы  при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.

Ответ:

(1) меньше 54 нм math

(2) меньше 56 нм math

(3) меньше 58 нм math

Упражнение 2:

Номер 1

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий  в смешанных кристаллах  от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: . Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

Ответ:

1,483

Номер 2

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий  в смешанных кристаллах  от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

1,57

Номер 3

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий  в смешанных кристаллах  от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Ответ:

1,67

Номер 4

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий  в смешанных кристаллах  от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: . Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

Ответ:

1,758

Номер 5

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий  в смешанных кристаллах  от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: . Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

Ответ:

1,858

Упражнение 3:

Номер 1

Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему инвертора

Ответ:

(1)

(2)

(3) >

Номер 2

Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему элемента NOR на 2 входа

Ответ:

(1)

(2)

(3)

Номер 3

Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему элемента NOR на 3 входа

Ответ:

(1)

(2)

(3)

Упражнение 4:

Номер 1

Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Схему инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗШ)

Ответ:

(1)

(2)

(3)

Номер 2

Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Структуру инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗШ)

Ответ:

(1)

(2)

(3)

Номер 3

Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Схему инвертора на биполярном гетеротранзисторе

Ответ:

(1)

(2)

(3)

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков - тест 8