Главная / Аппаратное обеспечение /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков / Тест 8
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков - тест 8
Упражнение 1:
Номер 1
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.
Ответ:
 
(1) меньше 24 нм
 
 
(2) меньше 26 нм
 
 
(3) меньше 27 нм
 
Номер 2
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.
Ответ:
 
(1) меньше 18 нм
 
 
(2) меньше 19 нм
 
 
(3) меньше 20 нм
 
Номер 3
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.
Ответ:
 
(1) меньше 19 нм
 
 
(2) меньше 25 нм
 
 
(3) меньше 29 нм
 
Номер 4
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.
Ответ:
 
(1) меньше 35 нм
 
 
(2) меньше 37 нм
 
 
(3) меньше 39 нм
 
Номер 5
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.
Ответ:
 
(1) меньше 54 нм
 
 
(2) меньше 56 нм
 
 
(3) меньше 58 нм
 
Упражнение 3:
Номер 1
Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему инвертора
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3) >
 
Номер 2
Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему элемента NOR на 2 входа
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)  
Номер 3
Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему элемента NOR на 3 входа
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)  
Упражнение 4:
Номер 1
Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Схему инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗШ)
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)  
Номер 2
Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Структуру инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗШ)
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)  
Номер 3
Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Схему инвертора на биполярном гетеротранзисторе
Ответ:
 
(1)  
 
(2)  
 
(3)