игра брюс 2048
Главная / Аппаратное обеспечение / Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления / Тест 6

Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления - тест 6

Упражнение 1:
Номер 1
Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: меньше 0,3 эВ?

Ответ:

 (1) свыше 7,14 нм 

 (2) от 2,41 нм до 2,56 нм 

 (3) от 1,77 нм до 1,94 нм 

 (4) от 1,50 нм до 1,62 нм 

 (5) от 1,40 нм до 1,45 нм 


Номер 2
Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 0,8 до 0,85 эВ?

Ответ:

 (1) свыше 7,14 нм 

 (2) от 2,41 нм до 2,56 нм 

 (3) от 1,77 нм до 1,94 нм 

 (4) от 1,50 нм до 1,62 нм 

 (5) от 1,40 нм до 1,45 нм 


Номер 3
Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 1,05 до 1,15 эВ?

Ответ:

 (1) свыше 7,14 нм 

 (2) от 2,41 нм до 2,56 нм 

 (3) от 1,77 нм до 1,94 нм 

 (4) от 1,50 нм до 1,62 нм 

 (5) от 1,40 нм до 1,45 нм 


Номер 4
Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 1,25 до 1,35 эВ?

Ответ:

 (1) свыше 7,14 нм 

 (2) от 2,41 нм до 2,56 нм 

 (3) от 1,77 нм до 1,94 нм 

 (4) от 1,50 нм до 1,62 нм 

 (5) от 1,40 нм до 1,45 нм 


Номер 5
Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 1,4 до 1,45 эВ?

Ответ:

 (1) свыше 7,14 нм 

 (2) от 2,41 нм до 2,56 нм 

 (3) от 1,77 нм до 1,94 нм 

 (4) от 1,50 нм до 1,62 нм 

 (5) от 1,40 нм до 1,45 нм 


Упражнение 2:
Номер 1
Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на files, оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме,  показанной на files, а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:

Ответ:

 (1) 8,8 нА и 437 нА; –1,179 В и –0,152 В 

 (2) 4,6 нА и 328 нА; –1,185 В и –0,114 В 

 (3) 2,7 нА и 233 нА; –1,188 В и –0,081 В 

 (4) 33 нА и 750 нА; –1,44 В и –0,23 В 

 (5) 11 нА и 540 нА; –1,47 В и –0,166 В 


Номер 2
Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на files, оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме,  показанной на files, а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:

Ответ:

 (1) 8,8 нА и 437 нА; –1,179 В и –0,152 В 

 (2) 4,6 нА и 328 нА; –1,185 В и –0,114 В 

 (3) 2,7 нА и 233 нА; –1,188 В и –0,081 В 

 (4) 33 нА и 750 нА; –1,44 В и –0,23 В 

 (5) 11 нА и 540 нА; –1,47 В и –0,166 В 


Номер 3
Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на files, оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме,  показанной на files, а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:

Ответ:

 (1) 8,8 нА и 437 нА; –1,179 В и –0,152 В 

 (2) 4,6 нА и 328 нА; –1,185 В и –0,114 В 

 (3) 2,7 нА и 233 нА; –1,188 В и –0,081 В 

 (4) 33 нА и 750 нА; –1,44 В и –0,23 В 

 (5) 11 нА и 540 нА; –1,47 В и –0,166 В 


Номер 4
Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на files, оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме,  показанной на files, а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:

Ответ:

 (1) 8,8 нА и 437 нА; –1,179 В и –0,152 В 

 (2) 4,6 нА и 328 нА; –1,185 В и –0,114 В 

 (3) 2,7 нА и 233 нА; –1,188 В и –0,081 В 

 (4) 33 нА и 750 нА; –1,44 В и –0,23 В 

 (5) 11 нА и 540 нА; –1,47 В и –0,166 В 


Номер 5
Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на files, оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме,  показанной на files, а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:

Ответ:

 (1) 8,8 нА и 437 нА; –1,179 В и –0,152 В 

 (2) 4,6 нА и 328 нА; –1,185 В и –0,114 В 

 (3) 2,7 нА и 233 нА; –1,188 В и –0,081 В 

 (4) 33 нА и 750 нА; –1,44 В и –0,23 В 

 (5) 11 нА и 540 нА; –1,47 В и –0,166 В 


Упражнение 3:
Номер 1
Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, при условиях, когда: напряжение питания составляет ± 1,2 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, math= 50 фФ. (ответ введите в нс)

Ответ:

 60 


Номер 2
Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, при условиях, когда: напряжение питания составляет ± 1,2 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, math= 5 фФ. (ответ введите в нс)

Ответ:

 6 


Номер 3
Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, при условиях, когда: напряжение питания составляет ± 1,2 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, math= 500 аФ. (ответ введите в пс)

Ответ:

 600 


Номер 4
Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, при условиях, когда: напряжение питания составляет ± 1,5 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, math= 3 фФ . (ответ введите в нс). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Ответ:

 4,5 


Номер 5
Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, при условиях, когда: напряжение питания составляет ± 1,5 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, math= 100 аФ. (ответ введите в пс)

Ответ:

 150 


Упражнение 4:
Номер 1
Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:

Ответ:

 (1) 14,4 фДж, 240 нВт 

 (2) 1,44 фДж, 240 нВт 

 (3) 144 аДж, 240 нВт 

 (4) 13,5 фДж, 3 мкВт 

 (5) 450 аДж, 3 мкВт 


Номер 2
Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:

Ответ:

 (1) 14,4 фДж, 240 нВт 

 (2) 1,44 фДж, 240 нВт 

 (3) 144 аДж, 240 нВт 

 (4) 13,5 фДж, 3 мкВт 

 (5) 450 аДж, 3 мкВт 


Номер 3
Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:

Ответ:

 (1) 14,4 фДж, 240 нВт 

 (2) 1,44 фДж, 240 нВт 

 (3) 144 аДж, 240 нВт 

 (4) 13,5 фДж, 3 мкВт 

 (5) 450 аДж, 3 мкВт 


Номер 4
Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:

Ответ:

 (1) 14,4 фДж, 240 нВт 

 (2) 1,44 фДж, 240 нВт 

 (3) 144 аДж, 240 нВт 

 (4) 13,5 фДж, 3 мкВт 

 (5) 450 аДж, 3 мкВт 


Номер 5
Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:

Ответ:

 (1) 14,4 фДж, 240 нВт 

 (2) 1,44 фДж, 240 нВт 

 (3) 144 аДж, 240 нВт 

 (4) 13,5 фДж, 3 мкВт 

 (5) 450 аДж, 3 мкВт 


Упражнение 5:
Номер 1
Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 45 нм.

Ответ:

 (1) 2*107 бит/мм2 

 (2) 4*107 бит/мм2 

 (3) 8,6*107 бит/мм2 

 (4) 1,6*108 бит/мм2 

 (5) 3,4*108 бит/мм2 


Номер 2
Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 32 нм.

Ответ:

 (1) 2*107 бит/мм2 

 (2) 4*107 бит/мм2 

 (3) 8,6*107 бит/мм2 

 (4) 1,6*108 бит/мм2 

 (5) 3,4*108 бит/мм2 


Номер 3
Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 22 нм.

Ответ:

 (1) 2*107 бит/мм2 

 (2) 4*107 бит/мм2 

 (3) 8,6*107 бит/мм2 

 (4) 1,6*108 бит/мм2 

 (5) 3,4*108 бит/мм2 


Номер 4
Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 16 нм.

Ответ:

 (1) 2*107 бит/мм2 

 (2) 4*107 бит/мм2 

 (3) 8,6*107 бит/мм2 

 (4) 1,6*108 бит/мм2 

 (5) 3,4*108 бит/мм2 


Номер 5
Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 11 нм.

Ответ:

 (1) 2*107 бит/мм2 

 (2) 4*107 бит/мм2 

 (3) 8,6*107 бит/мм2 

 (4) 1,6*108 бит/мм2 

 (5) 3,4*108 бит/мм2 


Упражнение 6:
Номер 1
Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 25 мс после начала освещения?

Ответ:

 (1) 650 фотонов 

 (2) 166–167 фотонов 

 (3) 41-42 фотона 

 (4) 10-11 фотонов 

 (5) >2-3 фотона 


Номер 2
Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 6,4 мс после начала освещения?

Ответ:

 (1) 650 фотонов 

 (2) 166–167 фотонов 

 (3) 41-42 фотона 

 (4) 10-11 фотонов 

 (5) >2-3 фотона 


Номер 3
Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 1,6 мс после начала освещения?

Ответ:

 (1) 650 фотонов 

 (2) 166–167 фотонов 

 (3) 41-42 фотона 

 (4) 10-11 фотонов 

 (5) >2-3 фотона 


Номер 4
Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 400 мкс после начала освещения?

Ответ:

 (1) 650 фотонов 

 (2) 166–167 фотонов 

 (3) 41-42 фотона 

 (4) 10-11 фотонов 

 (5) >2-3 фотона 


Номер 5
Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 100 мкс после начала освещения?

Ответ:

 (1) 650 фотонов 

 (2) 166–167 фотонов 

 (3) 41-42 фотона 

 (4) 10-11 фотонов 

 (5) >2-3 фотона 


Упражнение 7:
Номер 1
Если наноэлектронные весы на УНТ имеют чувствительность  1,3*10-25 кг/Гц, то на сколько изменится частота колебаний УНТ, когда на нее осядет молекула металлофуллерена math? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Ответ:

 10,8 


Номер 2
Если наноэлектронные весы на УНТ имеют чувствительность  1,3*10-25 кг/Гц, то на сколько изменится частота колебаний УНТ, когда на нее осядет молекула аспирина math? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Ответ:

 2,3 


Номер 3
Если наноэлектронные весы на УНТ имеют чувствительность  1,3*10-25 кг/Гц, то на сколько изменится частота колебаний УНТ, когда на нее осядет молекула краун-эфира math вместе с захваченным ионом калия? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Ответ:

 3,9 


Номер 4
Если наноэлектронные весы на УНТ имеют чувствительность  1,3*10-25 кг/Гц, то на сколько изменится частота колебаний УНТ, когда на нее осядет молекула фуллерена math? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Ответ:

 11,1 


Номер 5
Если наноэлектронные весы на УНТ имеют чувствительность  1,3*10-25 кг/Гц, то на сколько изменится частота колебаний УНТ, когда на нее осядет молекула флуоробифенила math? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Ответ:

 5,9 


Упражнение 8:
Номер 1
Рассчитайте мощность электронного "луча" в каждом пикселе цветного плоского монитора на основе УНТ, если известны напряжение между анодом и катодом math и ток холодной эмиссии math. Оцените также энергетическую мощность излучения от одного пикселя такого экрана, если выход катодолюминесценции составляет 16%. math= 50 В, math= 2,5 мкА.

Ответ:

 (1) 125 мкВт; 20 мкВт 

 (2) 128 мкВт; 20,5 мкВт 

 (3) 180 мкВт; 28,8 мкВт 

 (4) 180 мкВт; 28,8 мкВт 

 (5) 675 мкВт; 108 мкВт 


Номер 2
Рассчитайте мощность электронного "луча" в каждом пикселе цветного плоского монитора на основе УНТ, если известны напряжение между анодом и катодом math и ток холодной эмиссии math. Оцените также энергетическую мощность излучения от одного пикселя такого экрана, если выход катодолюминесценции составляет 16%. math= 80 В, math= 1,6 мкА.

Ответ:

 (1) 125 мкВт; 20 мкВт 

 (2) 128 мкВт; 20,5 мкВт 

 (3) 180 мкВт; 28,8 мкВт 

 (4) 180 мкВт; 28,8 мкВт 

 (5) 675 мкВт; 108 мкВт 


Номер 3
Рассчитайте мощность электронного "луча" в каждом пикселе цветного плоского монитора на основе УНТ, если известны напряжение между анодом и катодом math и ток холодной эмиссии math. Оцените также энергетическую мощность излучения от одного пикселя такого экрана, если выход катодолюминесценции составляет 16%. math= 120 В, math= 1,5 мкА.

Ответ:

 (1) 125 мкВт; 20 мкВт 

 (2) 128 мкВт; 20,5 мкВт 

 (3) 180 мкВт; 28,8 мкВт 

 (4) 180 мкВт; 28,8 мкВт 

 (5) 675 мкВт; 108 мкВт 


Номер 4
Рассчитайте мощность электронного "луча" в каждом пикселе цветного плоского монитора на основе УНТ, если известны напряжение между анодом и катодом math и ток холодной эмиссии math. Оцените также энергетическую мощность излучения от одного пикселя такого экрана, если выход катодолюминесценции составляет 16%. math= 75 В, math= 2,4 мкА.

Ответ:

 (1) 125 мкВт; 20 мкВт 

 (2) 128 мкВт; 20,5 мкВт 

 (3) 180 мкВт; 28,8 мкВт 

 (4) 180 мкВт; 28,8 мкВт 

 (5) 675 мкВт; 108 мкВт 


Номер 5
Рассчитайте мощность электронного "луча" в каждом пикселе цветного плоского монитора на основе УНТ, если известны напряжение между анодом и катодом math и ток холодной эмиссии math. Оцените также энергетическую мощность излучения от одного пикселя такого экрана, если выход катодолюминесценции составляет 16%. math= 150 В, math= 4,5 мкА.

Ответ:

 (1) 125 мкВт; 20 мкВт 

 (2) 128 мкВт; 20,5 мкВт 

 (3) 180 мкВт; 28,8 мкВт 

 (4) 180 мкВт; 28,8 мкВт 

 (5) 675 мкВт; 108 мкВт 




Главная / Аппаратное обеспечение / Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления / Тест 6